400-677-0098
真空晶體生長爐
真空晶體生長爐
產品描述:
真空晶體生長爐主要用于碳化硅、硒化鋅等晶體的生長
應用范圍:
大尺寸單晶碳化硅生長(PVT法)、硒化鋅晶體氣相生長

真空晶體生長爐技術特征

采用先進的控制技術,能精密控制爐內壓力,爐膛內壓力波動??;

采用動密封技術,能精密控制坩堝移動與旋轉;

采用特殊結構設計,能有效控制籽晶位置;

采用特殊的爐膽結構和加熱器布置,經溫場模擬計算,能有效控制爐內溫場分布;

具備柔性抽真空、爐內分壓控制等功能;

采用先進的隔熱結構和材料,爐膽隔熱性能好、蓄熱少,

采用特殊的高溫紅外測量技術,控溫準確,誤差小。

真空晶體生長爐產品規格

型號/參數VCG-4VCG-6VCG-8
產品尺寸
4英寸6英寸8英寸
最高溫度(℃)2400-26002400-26002400-2600
溫度均勻性(℃)±5±5±5
極限真空度(Pa)10-5-10-310-5-10-310-5-10-3
壓升率(pa/h)0.670.670.67

真空晶體生長爐配置選擇

結構形式:上出料/下出料

爐門鎖緊方式:手動/自動

爐殼材質:內層不銹鋼/全碳鋼/全不銹鋼

保溫材質:高純碳氈/石墨氈/固化氈

加熱器:等靜壓石墨/金屬

熱電偶:C/K/N/S分度號

紅外儀:單比色/雙比色

適于工藝氣氛:N2/Ar/H2

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